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Le premier transistor au monde

Si l’on tient compte de l’avènement du premier transistor, le développement de la technologie des semi-conducteurs a été plus d’un demi-siècle, et il maintient toujours une forte tendance au développement. Il continue de suivre la loi de Moore que l’intégration des puces va doubler en 18 mois, et la taille de l’appareil sera doublé tous les trois ans. La vitesse de développement est réduite de 0,7 fois. La production d’IC avec une grande taille, une largeur de ligne fine, une grande précision, une grande efficacité et un faible coût apporte des défis sans précédent aux équipements semi-conducteurs.

Dans le processus de fabrication, les circuits intégrés ont subi de multiples processus tels que la préparation des matériaux, le masquage, la photolithographie, le nettoyage, la gravure, l’imprégnation et le polissage mécanique chimique. Parmi eux, la photolithographie est le processus le plus critique, qui détermine le niveau avancé du processus de fabrication. Avec le développement de circuits intégrés du niveau micron au niveau nanométrique, la longueur d’onde de la lumière utilisée dans la lithographie est également passé des longueurs d’onde de 436 nm et 365 nm dans la gamme ultraviolette proche (NUV) aux longueurs d’onde de 248 nm et 193nm dans la gamme ultraviolette profonde (DUV). À l’heure actuelle, la plupart des procédés de fabrication de copeaux utilisent la technologie de lithographie 248nm et 193nm. À l’heure actuelle, la recherche sur la technologie de lithographie ultraviolette extrême EUV avec une longueur d’onde de 13,5 nm progresse également rapidement.

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